技术规格：

样品尺寸：100~210mm； 测试速度：每5ms测试一个点；测量范围：20~400Ω/sq； 重复性：<1.5%(单点10次)<3%(单片上5个点)；精确度：<5%(对标4探针)； 非接触式在线检测；探头距离：距离硅片表面1.5-2.5mm可选； 硅片垂直位置公差： <峰到峰 200 um；支持MES系统。

基本原理：

通过激光器产生脉冲激光，脉冲激光照射在晶片上，从而激发出光电压。光电压随着到激光器中心距离的增大而变化。通过光电压的衰减、脉冲激光器的功率等通过公式拟合出晶片的光电压与方阻之间的关系，再通过四探针进行标定，可得到准确的晶片方阻。

关键技术点：

脉冲激光产生光电压，光电压随距离变化；通过电容线圈检测光电压；电容线圈探测电压与方阻相关；激光器头与晶片之间的距离相对固定。

皮带工作模式：

通过多个激光头同时采集数据；每个激光头每秒采集100个点；每张电池片采集300个点。

机械手抓取模式：

每个电池片选择5个或9个点；通过机械手抓取移动电池片；机械手在合适位置后输出开关量。

产品组成：

激光器模块；控制器模块；工控机；显示器；遮光板。